Разблокировка данных NAND для ремонта NAND — устранение зависания iPhone X в режиме восстановления

Это руководство по замене микросхемы NAND во внутренней памяти iPhone X. Не пытайтесь выполнять это без специальных инструментов, которые я использовал. Процесс очень сложен и существует высокий риск повредить что‑то на плате или саму микросхему.

Шаг 1

Нажали кнопку питания и телефон завис в режиме восстановления.

Далее пробуем прошить устройство. Открываем 3uTools для прошивки. На телефоне появляется индикатор прогресса прошивки, и процесс зависает на 20%. Также появляется ошибка.

Шаг 2

Зависание на разных этапах прогресса первоначально указывает на соответствующее решение для ремонта.

11% с ошибкой и невозможность войти в режим восстановления из DFU указывают на неисправность процессора. 13% с ошибкой означает, что неисправен разъём подключения, тогда как 20% с ошибкой всегда сопровождаются дефектом NAND. Поэтому можно предварительно определить, что причиной проблемы является неисправность NAND.

Шаг 3

Далее разбираем телефон. Снимаем поролон на материнской плате. Обклеиваем плату высокотемпературной лентой.

Закрепляем плату в держателе. Нагреваем феном до 260 °C, чтобы удалить клей вокруг NAND. Затем равномерно нагреваем NAND до 380 °C. Снимаем NAND лопаткой.

Шаг 4

Наносим немного флюса на контактные площадки. Наносим пасту среднего температурного диапазона на контактные площадки паяльником при 360 °C. Это делается для нейтрализации температуры контактных площадок.

Очищаем контактные площадки оплёткой для припоя. Удаляем остатки чёрного клея феном при 280 °C.

Шаг 5

Очищаем контактные площадки очистителем для печатных плат.

Наносим немного флюса. Устанавливаем заведомо исправную NAND на место.

Шаг 6

Нагреваем феном до 340 °C. Осторожно подталкиваем NAND пинцетом. Когда NAND сам устанавливается на место, пайка завершена.

Снимаем высокотемпературную ленту. Подключаем плату к питающему кабелю. Измеряем ток платы. Ток 52 мА, что в пределах нормы.

Подключаем телефон к компьютеру для продолжения прошивки. Прошивка прошла успешно. Проблема с невозможностью включения подтверждена как вызванная неисправностью NAND.

Шаг 7

Включаем телефон для тестирования. Так как адреса Wi‑Fi и Bluetooth хранятся в NAND, а новая NAND не соответствует адресам Wi‑Fi и Bluetooth на плате, необходимо считать данные оригинальной NAND. Для этого сначала делаем джейлбрейк телефона.

После джейлбрейка подключаем телефон к компьютеру и открываем 3uTools. Запускаем программу для считывания оригинальных данных.

Затем используем P10 для записи данных. Подключаем телефон к P10. Переводим телефон в DFU‑режим.

Шаг 8

Открываем программное обеспечение P10. Нажимаем «DFU Mode». После входа в фиолетовый режим данные успешно считаны и записаны.

Телефон включается нормально. Wi‑Fi также работает корректно. Неисправность устранена.

Заключение

Для сборки устройства следуйте этим инструкциям в обратном порядке.

Перевод руководства с ifixit.com